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IXTH260N055T2
Fig. 7. Input Admittance
Fig. 8. Transconductance
200
180
160
140
120
140
120
100
80
T J = - 40oC
25oC
150oC
100
80
60
40
20
0
T J = 150oC
25oC
- 40oC
60
40
20
0
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
220
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
360
320
280
240
200
160
10
9
8
7
6
5
4
V DS = 28V
I D = 130A
I G = 10mA
120
80
40
0
T J = 150oC
T J = 25oC
3
2
1
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90 100 110 120 130 140
100,000
f = 1 MHz
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
1,000
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area
R DS( on ) Limit
10,000
Ciss
100
25μs
100μs
External Lead Current Limit
1,000
Coss
10
1ms
100
Crss
1
T J = 175oC
T C = 25oC
Single Pulse
DC
10ms
100ms
0
5
10
15
20
25
30
35
40
1
10
100
V DS - Volts
V DS - Volts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS REF: T_260N055T2(V6)12-15-08-B
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